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| 项目名称 | 硅存储相关卷积器 | ||
| 行业分类 | 装备制造 | ||
| 项目简介 |
| 本发明涉及一种硅存储相关卷积器，其包括至少一二极管阵列及抽头延迟线，抽头延迟线设置在该二极管阵列的中间，该抽头延迟线与二极管阵列通过二次集成连接。本发明的硅存储相关卷积器的LiNbO3抽头延迟线外接普通二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器，抽头延迟线与二极管阵列通过二次集成接在一起。这种器件结构不仅可以进行解析分析，而且由于LiNbO3的机电耦合系数高，硅二极管的制造工艺成熟，这种结构的器件可以达到较高的效率。 |
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