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| 项目简介 |
| 低频类飞机雷电抑制器使用的主要材料是多晶半导体陶瓷，其成份主要是锌、铋、锑、钴、锰、铬等金属及其氧化物，经合理配比，再经模压、烧结、老化等各工序后，形成的一种新型压敏器件。这种新型的压敏器件，在晶粒与界层之间具有硅稳压管那样的非线性伏安特性，不同材料成分及其配比与加工工艺影响其特性与雷电吸收效果。高频类飞机雷电抑制器主要材料为雪崩型单晶硅半导体，根据频率不同，快速放电管也为高频类雷电抑制器的一种。对低频类飞机雷电抑制器，多晶半导体陶瓷材料的主要成份锌、铋、锑、钴、锰、铬等金属及其氧化物，进行合理配比，研究烧结的合理温度曲线，研究新的模压、烧结、老化等工序的工艺。对高频类飞机雷电抑制器，主要研究雪崩型单晶硅半导体的雪崩导通速度、结构尺寸和电极型式；对快速放电管主要研究电极型式。本技术充分利用相关的资源与试验设备，采用“试验分析——理论研究——产品试制——实验研究——改进方案——产品定型”的技术路线，其中“产品试制——实验研究——改进方案”过程可能循环多次，直至产品性能指标满足要求。 |
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