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| 项目名称 | 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | ||
| 行业分类 | 其他 | ||
| 项目简介 |
| 专利名称 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 国内专利 申请号/专利号 CN201410481836.8 专利权人 桂林电器科学研究院有限公司 申请日 2014-09-19 授权日 2017-07-14 公开（公告）号 CN104211980A 法律状态 已授权 行业分类 I 化学与化学工程技术|化工工艺 意向价格 面议 万元 权属人所属地域 广西壮族自治区桂林市 IPC分类 C部--化学、冶金|分部：化学|C08 有机高分子化合物、其制备或化学加工、以其为基料的组合物 专利类别 发明 合作方式 技术转让 专利摘要 本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为：取三聚氰胺均匀分散于聚酰胺酸溶液中，所得树脂溶液铺膜进行热酰亚胺化制得聚酰亚胺/三聚氰胺复合薄膜，所得复合薄膜置于热水中浸泡成孔，洗涤，干燥，得到低介电常数聚酰亚胺薄膜；其中，所述三聚氰胺与聚酰亚胺的重量比为0.05～0.7：1。与现有技术相比，本发明仅以三聚氰胺作为成孔剂，用热水溶解成孔，成孔工艺简单易行，安全环保；所制得的低介电常数聚酰亚胺薄膜空气孔分布均匀，并具有较低的介电常数和良好的力学性能，在电子和微电子行业等领域具有较好的应用前景。 |
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